Компании Infineon и Toshiba объявили о создании альянса для совместной разработки нового типа компьютерной памяти.
Получившая название FeRAM (Ferroelectric RAM - ферроэлектрическая ОЗУ), новая технология позволит строить чипы, сохраняющие информацию даже после отключения питания. Другим достоинством FeRAM является низкая энергоемкость: она потребляет значительно меньше энергии, нежели используемые сегодня чипы DRAM и SRAM, допуская неограниченное количество операций считывания и записи (в отличие, к примеру, от flash-памяти).
Среди последних достижений микроэлектронной промышленности известен функциональный аналог FeRAM - MRAM, магнитная память. Над ней активно работает IBM и все та же Infineon. MRAM также сохраняет данные после снятия рабочего напряжения, но работает медленней FeRAM. Впрочем, что именно победит в конце концов - пока судить трудно, поскольку ни та, ни другая технология еще не вышли за стены лабораторий.
Общая стоимость разработки FeRAM по предварительным оценкам достигнет $60 млн. А первые чипы будут выпущены на рынок к концу 2002 года и применяться будут в мобильных телефонах и других переносных цифровых устройствах.
По информации "Компьютерры".
