8 декабря Samsung Electronics объявила о начале массового производства чипов третьего поколения Rambus DRAM (динамическая память с произвольным доступом Rambus). В этих чипах толщина схем составляет приблизительно 0.17 микрон, то есть 1/600 от толщины человеческого волоса.
Samsung наладит массовое производство чипов RDRAM третьего поколения с объемом памяти 128 MБ, 144 MБ и 288 MБ. Применение технологии третьего поколения означает, что на подложке можно изготавливать чипов на 25% больше, чем это было возможно при технологии второго поколения. Повышение эффективности обеспечит снижение уровня затрат на производство. Массовое применение чипов RDRAM сдерживалось высоким уровнем производственных затрат.
В то же время, технология массового производства следующего поколения компании Samsung позволяет сделать размеры чипа меньше и сокращает время обработки внутреннего сигнала внутри чипа. Помимо этого, операционная скорость улучшается более чем на 30%, а такие чипы DRAM могут достигать скорости 1066 MГц. Этот показатель является наиболее быстрым для имеющихся чипов памяти.
По информации РИА "РосБизнесКонсалтинг".
