15.03.2000, 15:56
Компании Fujitsu Limited и Ramtron International Corporation объявили о создании новой архитектуры памяти FRAM (ferroelectric random access memory), которая позволит создавать модули памяти мегабитного класса.
Был продемонстрирован прототип модуля памяти в 1 мегабит. Большая емкость достигается за счет использования ячеек памяти созданных по схеме один-транзистор/один-конденсатор (1T/1C). Память FRAM отличается повышенной скоростью чтения/записи, а также способностью хранить информацию без питания. По материалам РИА "РосБизнесКонсалтинг".
