18.04.2000, 13:55
Компания Samsung Electronics Co. Ltd. заявила, что ею была разработана новая фоторезистивная технология для производства микросхем - 193 нм фторид-аргонная (ArF) литография.
Фторид аргона - это материал, из которого изготавливается источник света для экспонирования подложки при литографии. По словам компании, новая технология позволит выпускать микросхемы с минимальным геометрическим размером 0,10 микрон и ниже. Этого достаточно, например, для производства микросхем памяти емкостью более 1 Гбит. В настоящее время Samsung подала заявки на патентование своей технологии в патентные организации девяти стран, включая США, Японию и Тайвань. По материалам РИА "РосБизнесКонсалтинг".
