27.07.2000, 15:13
Компания Union Semiconductor Technology Corp. (USTC) сообщила об успешной разработке памяти Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) (магниторезистивной памяти с произвольным доступом), пригодной для коммерческого внедрения.
Новая память может использоваться в компьютерах, беспроводных устройствах и потребительской электронике. В отличие от флэш-памяти, MRAM способна обеспечить меньшее время записи/чтения, причем для этих операций не требуется высокиго напряжения. Принцип действия MRAM основан на эффекте магнитной поляризации, что позволяет хранить записанную информацию в течение длительного времени. По словам USTC, массовое производство микросхем 1Мбит MRAM начнется в первом квартале 2001 года. По материалам РИА "РосБизнесКонсалтинг".
