В израильском институте Вейцмана изобретена новая технология измерения толщины сверхтонких пленок.
Сверхтонкие пленки толщиной от 10 до 15 нанометров используются в различных областях: оптоэлектронике, биологических сенсорах и т.д. При их изготовлении главным требованием является точная сборка и структурный анализ.
Сейчас для контроля структуры пленок требуются высокочувствительные пробы, и большинство известных методик измерения тут не годится. Более всего для этих целей подходит рентгеновское излучение. Однако определить точную толщину объекта зачастую очень сложно, в том числе и из-за повреждений, причиняемых излучением объекту.
Этой проблемой заинтересовались сотрудники израильского института Вейцмана - доктор Хагай Коэн из химического отдела и профессор Израэль Рубинштейн из отдела материалов и взаимодействия. Они разработали новый метод контроля сверхтонких пленок.
Метод основан на технике рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS). Образец облучают слабым электронным пучком, таким образом придавая образцу регулируемый отрицательный заряд. Этот заряд влияет на скорость излучаемых фотоэлектронов. Измеряя уровень фотоизлучения, исследователи могут определить и тип атома, и глубину его залегания в образце.
В ходе проверки новый метод обеспечил сверхточную информацию о послойной структуре образца (точность - около 1 нанометра). При этом образец не разрушается, что очень важно. Кроме того, попутно можно получить много полезной дополнительной информации об электрических свойствах пленки.
По информации "Компьютерры".
