Компания Samsung объявила о доступности пробных образцов 36-Мб модулей памяти стандарта QDRII (Quad Data Rate II), DDRII (Double Data Rate II) и NtRAM (No Turnaround Random Access Memory). Все модули памяти произведены по 0,15-мкм технологическому процессу.
Новая SRAM-память ориентирована на применение в сетевых продуктах, телекоммуникации и электронной обработке данных (EDP - Electronic Data Processing).
36-Мб QDRII- и DDRII-модули памяти от Samsung используют последние технологические достижения для обеспечения высокой производительности сетевых узлов и маршрутизаторов следующего поколения. Эти устройства поддерживают HSTL-логику (High Speed Transceiver Logic), позволяющую передавать и получать данные с тактовыми частотами вплоть до 250 МГц.
Чтобы удовлетворить запросы сетевых приложений, Samsung разработала большое разнообразие QDRII- и DDRII-модулей памяти, архитектуры которых можно условно разбить на пять различных типов по способам реализации пакетной выборки и организации чтения/записи: QDR Burst 2; QDR Burst 4; DDR common I/O, Burst 2; DDR common I/O, Burst 4 и DDR separate I/O, Burst 2.
QDRII- и DDRII-модули памяти Samsung поставляются в х8-, х16- и х36-конфигурациях. Оба типа модулей памяти имеют несколько схожих характеристик: напряжение питания 1,8 В, управление питанием, габариты - 13х15 мм, FBGA форм-фактор, 165 выводов. Компания также предлагает QDRII-, DDRII- и NtRAM-модули памяти с напряжением питания 2,5 В и 3,3 В.
Образцы 0,15-микронных 36-Мб QDRII-, DDRII- и NtRAM-модулей памяти доступны с декабря 2001 года. Начало массового производства начнется в середине 2002. Текущая стоимость модулей: QDRII - $110; DDRII - $120; NtRAM - $100, сообщает РИА "РосБизнесКонсалтинг".
