4 декабря компания AMD представила на конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) в Вашингтоне свой новый перспективный транзистор, который, по утверждению создателей способен работать на частотах до 3,3 ТГц (3300 ГГц).
Таким образом, новый транзистор AMD в 3,3 раза превосходит по скорости работы Terahertz transistor от Intel, также представленный на IEDM. Как следует из названия, транзистор от Intel может работать на частоте до 1 ТГц или 1000 ГГц.
Новый транзистор AMD был создан в одной из исследовательских лабораторий компании по КМОП-технологии. Размер затвора транзистора составляет 15 нм, тогда как для современных транзисторов эта величина составляет 130-180 нм (0,13-0,18 мкм). Новая разработка будет использована инженерами AMD для создания промышленной 30-нанометровой (0,03-микронной) технологии производства чипов, которая должна быть реализована к 2009 г.
Столь высокая скорость работы транзистора, когда одно переключение занимает всего 0,3 пс позволит создавать процессоры с тактовой частотой в десятки гигагерц. Больший рост частоты лимитируется высоким тепловыделением, а также задержками при передаче сигналов между самими транзисторами и другими элементами схемы, сообщает "Компьюлента".
