На семинаре в Киото, посвященном полупроводниковым нанотехнологиям, корпорация Intel объявила о создании самого быстродействующего транзистора в мире.

Данное устройство размером 20 нм (ширина отдельных его элементов не превышает трех атомов), по данным Intel, осуществляет переключения почти в тысячу раз быстрее вентилей в сегодняшних микропроцессорах.

К 2007 году, когда ожидается внедрение представленной технологии в реальные процессоры, количество транзисторов в них возрастет до 1 млрд. (в Pentium 4 их "только" 42 млн.), а рабочее напряжение снизится до одного вольта. Об этом пишет "Издательский Дом ITC".