Ученые корпорации Intel создали самые быстрые кремниевые транзисторы в мире, тем самым продемонстрировав, что непреодолимых барьеров для продолжения действия закона Мура до конца этого десятилетия не существует.
Как сообщается в пресс-релизе компании, новые транзисторы с элементами размером всего 20 нанометров позволят Intel создать примерно к 2007 году микропроцессоры, которые будут содержать порядка миллиарда транзисторов и работать на частоте до 20 ГГц при напряжении питания менее одного вольта.
Исследователи Intel Labs рассказали об этих достижениях 19 июня в г. Киото (Япония) на конференции инженеров и ученых, занимающихся полупроводниками - Silicon Nanoelectronics Workshop 2001.
"Эти исследования демонстрируют, что Intel уже перешла в эпоху нанотехнологий в области полупроводников, - считает директор лаборатории Components Research Lab подразделения Intel Technology and Manufacturing Group доктор Джеральд Марсик (Gerald Marcyk). - Наши достижения в области создания транзисторов показывают, что мы способны продлить действие закона Мура как минимум еще на три поколения технологий".
Многие исследователи говорили о том, что в будущем нанотехнология вытеснит полупроводниковую, однако достижения Intel свидетельствуют о том, что эти технологии на самом деле дополняют друг друга.
"Мы до сих пор не достигли барьера на пути сокращения размеров кремниевых транзисторов, - добавляет член ученого совета Intel, руководитель исследований в области транзисторов подразделения Intel Logic Technology Development д-р Роберт Чу (Robert Chau). - Темпы развития полупроводниковых технологий растут, а не замедляются".
20-нанометровые транзисторы, разработанные учеными Intel Labs, на 30% меньше и на 25% быстрее самых быстродействующих транзисторов, которые также были созданы специалистами Intel. Чем меньше транзистор, тем быстрее он работает, а быстродействующие транзисторы - это основные элементы мощных микропроцессоров, которые используются в компьютерах и множестве других "интеллектуальных" устройств. Такие транзисторы составят основу нового поколения технологических процессов 45 нм (0,045 мкм), которые Intel планирует внедрить в производство ориентировочно в 2007 году.
Intel Labs - подразделение Intel, которое занимается исследованиями и разработками, - насчитывает в своем штате более 6000 ученых и специалистов, работающих в лабораториях корпорации по всему миру. У этих лабораторий децентрализованная структура, и они имеют значительные собственные ресурсы, которые дополняются многочисленными внешними исследовательскими программами, проводимыми совместно с университетами, государственными научными учреждениями и промышленными консорциумами. Такая нетрадиционная структура позволяет Intel охватить более широкий спектр исследовательских проектов. Лаборатории тесно взаимодействуют с производственными подразделениями Intel, что помогает им разрабатывать технологии с учетом реальных нужд клиентов Intel и потребителей ее продукции.
Более подробная информация об исследованиях Intel в области технологий производства полупроводниковых компонентов размещена на новом тематическом web-сайте Intel по адресу
http://www.intel.com/research/silicon. Информацию о других исследовательских проектах Intel Labs можно получить по адресу
http://www.intel.com/labs.
Инф. "ЭЛВИСТИ".
