Rambus представил на проходящем в Сан-Франциско Intel Developer Forum (IDF) новую версию памяти Rambus Direct RAM (RDRAM).
Новый чип называется RIMM4200. Основная особенность - добавлен второй канал передачи данных. Теперь RDRAM имеет два канала с возможностью передачи 2,1 Гбайт в секунду по каждому и суммарную производительность 4,2 Гбайт в секунду. Предыдущая модель использует только один канал со скоростью 1,6 Гбайт в секунду. Рабочая частота памяти - 1066 МГц, что почти на треть больше, чем у сегодняшних 800-МГц чипов. Разъем микросхемы стандартный - 232-контактный.
Rambus выпускает новинку очень вовремя. До начала производства RDRAM считалась очень перспективной, но очень высокие цены заметно охладили энтузиазм покупателей и производителей. Теперь цены заметно снизились, и производители компьютеров и Intel продолжают рассматривать RDRAM как самую быструю память. Но ее конкурент DDR (Double Data Rate) имеет очень сильные позиции, в значительной степени из-за поддержки чипсетами для процессоров AMD, которые увеличивают свою долю на рынке. Даже Intel, первоначальный союзник Rambus, будет использовать DDR SDRAM в новом мобильном чипсете Intel845.
Модули памяти RIMM4200 начнут поставляться во втором квартале 2002 года. Повышение скорости RDRAM является частью плана Intel по всеобщему переходу на высокопроизводительные настольные компьютеры класса high-end на базе Pentium 4.
Intel собирается использовать новинку, чтобы повысить частоту шины Pentium 4 с нынешних 400 до 533 МГц. Увеличение скорости передачи данных между процессором и памятью в 1,3 раза должно заметно улучшить производительность всей системы.
Производители памяти в самое ближайшее время начнут производство новых микросхем на RIMM 4200. Samsung уже объявил, что будет демонстрировать свои модели на IDF.
Дальнейшее развитие технологии, согласно плану Rambus, сделает к 2005 году возможной скорость передачи 9,6 Гбайт в секунду на частоте 1200 МГц, сообщает "Компьюлента".
