11.04.2002, 16:34
Компания Samsung Electronics сообщила о начале поставок опытных образцов первых в индустрии, по ее утверждению, низковольтных микросхем Mobile-Synchronous DRAM емкостью 512 Mб, предназначенных для использования в мобильных устройствах нового поколения (3G-телефонах, PDA, цифровых фотокамерах, и т.д.).
Представленные чипы изготовляются с применением 0,15-микронной технологии и имеют напряжение питания 2,5 В (в отличие от традиционных чипов SDRAM с напряжением питания 3,3 В).
По заявлению Samsung, к 2003 году она рассчитывает взять под контроль около 50% мирового рынка Mobile-SDRAM, сообщает "Издательский Дом ITC".
