Intel представила флэш-память для сотовых телефонов, а также новые методы изготовления корпусов микросхем флэш-памяти. Рассчитанная на напряжение 1,8 В, новая флэш-память Intel Wireless Flash производится по 0,13-мкм технологии и обладает меньшим энергопотреблением.
На токийском Форуме Intel для разработчиков представители корпорации рассказали также о новом методе изготовления корпусов микросхем. В основе нового метода лежит размещение нескольких микросхем памяти и логических микросхем в общем корпусе, а также специальная укладка корпусов для реализации высокоуровневой интеграции кристаллов и увеличения их плотности на меньшей площади.
В основу беспроводной продукции Intel положены три технологии: флэш-память Intel Wireless Flash, микроархитектура Intel XScale для обработки приложений и архитектура Intel Micro Signal для обработки команд. Эти технологии являются основными составляющими архитектуры Intel Personal Internet Client Architecture (Intel PCA) - технического проекта Intel для разработчиков беспроводных портативных коммуникационных устройств, сочетающих в себе возможности речевого общения и доступа к ресурсам Интернет.
Флэш-память Intel Wireless Flash на 1,8 В будет выпускаться в микросхемах емкостью 64 и 32 Мбит. Микросхемы емкостью 64 Мбит в настоящее время производятся в опытном порядке. Начало их массового производства намечено на август текущего года. Опытное производство микросхем емкостью 32 Мбит начнется в июне текущего года, а их запуск в массовое производство намечен на октябрь текущего года. Также в течение этого года начнется опытное производство микросхем емкостью 128 Мбит. Их серийный выпуск запланирован на 2003 год. В партии 10 тыс. шт. стоимость одной микросхемы емкостью 64 Мбит составляет $14,91. Стоимость одной микросхемы емкостью 32 Мбит составляет $8,97. В настоящее время массовое производство микросхем флэш-памяти всех трех емкостей осуществляется по 0,18-микронной технологии, сообщает "iXBT".
