Компания Samsung Electonics разработала новую технологию создания кремниевых пластин для чипов, основанную на методе осаждения атомного слоя (Atomic Layer Deposition, ALD).

Эта технология позволяет контролировать рост кремневых пленок, используя особый механизм самоограничения. Пленка толщиной всего лишь в несколько ангстрем (1 ангстрем = 0,000001 мм) осаждается на рисунке подложки, образуя диэлектрический конденсатор или затвор транзистора. Использование нового материала, состоящего из диоксидов гафния и алюминия, дает не только большую емкость конденсатора, но и сокращает число стадий производства и снижает расход энергии и тепловыделение.

Разработанная в Samsung технология может положить конец сорокалетней эре использующегося уже на пределе возможностей диоксида кремния и позволит создавать более экономичные интегральные схемы толщиной 1-1,4 нм по 0,07- микронному техпроцессу, сообщает "Компьюлента".