Во время конференции VLSI Symposium в Киото компания AMD представила несколько своих новейших разработок в области транзисторных технологий.
В частности, ее специалисты сообщили о разработке массива транзисторов на основе технологии FDSOI (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator), которые обладают наибольшим быстродействием среди компонентов на базе P-канального металоксидного полупроводника - она у них примерно на 30% выше в сравнении с результатами ранее опубликованных работ в этой области.
Еще один продемонстрированный исследователями компании массив использует технологию напряженного кремния и металлических затворов, и обеспечивает 20- 25-процентный прирост быстродействия по отношению к N-канальным металоксидным транзисторам на базе традиционного варианта Strained-Silicon. Об этом пишет "Издательский Дом ITC".
