Корпорация Intel сообщила о предстоящем выпуске первых в мире компонентов флэш-памяти типа NOR, изготовленных по технологическому процессу с проектной нормой 90 нанометров (нм). Компоненты Intel Wireless Flash Memory построены на основе технологий флэш-памяти Intel девятого поколения и сохраняют все высокие рабочие характеристики, которых требуют от флэш-памяти производители беспроводных портативных устройств.
Выступая с пленарным докладом на Форуме Intel для разработчиков, исполнительный вице-президент корпорации Intel Шон Мэлоуни (Sean Maloney) сообщил, что компоненты флэш-памяти Intel Wireless Flash Memory, изготовленные с использованием технологического процесса с проектной нормой 90 нм, имеют примерно на 50% меньший размер кристалла, чем компоненты предыдущего поколения. Это позволяет снизить себестоимость и удвоить производственные возможности корпорации Intel в интересах клиентов. Первые компоненты энергонезависимой памяти новой серии будут иметь плотность в один бит на ячейку. Позднее в этом году планируется выпустить компоненты на базе технологии Intel Multi-level cell (MLC), которая удваивает количество информации, хранимой в одной ячейке.
"Память Intel Wireless Flash Memory - самое совершенное из существующих сегодня решений для беспроводных устройств, - отметил Том Лейси (Tom Lacey), вице-президент подразделения Intel Flash Products Group. - В ней реализованы сразу четыре новаторские технологии: малое напряжение питания (1,8 вольт), непосредственное исполнение программного кода (execute-in-place), расширенные возможности заводского программирования и совместное хранение кода и данных в одном кристалле. Все четыре технологии очень важны для наших заказчиков из отрасли беспроводных технологий и позволяют им создавать надежные современные устройства".
Память Intel Wireless Flash Memory, изготовленная по 90-нм производственной технологии, пополнила семейство продукции Intel Stacked Chip Scale Packaging (Stacked-CSP). Единая схема расположения выводов корпуса и общее программное обеспечение управления флэш-памятью Intel Flash для компонентов с разной плотностью облегчают многоуровневую интеграцию компонентов и модернизацию устройств и позволяют производителям размещать большее количество памяти в меньшем объеме. Объединяя в одном компактном корпусе размером 8x11 мм флэш-память высокой плотности и различные подсистемы оперативной памяти, корпорация Intel поставляет компоненты суммарной емкостью до 1 ГБ.
Поставки образцов флэш-памяти Intel Wireless Flash Memory, изготовленной по 90-нм технологическому процессу емкостью 64 Мбит, начнутся в апреле. Начало массового производства запланировано на третий квартал нынешнего года. Предполагаемая цена составит 10 долларов 26 центов при поставках партиями по 10 тысяч единиц. Позднее в этом году корпорация Intel планирует начать поставки образцов флэш-памяти Intel StrataFlash Wireless Memory на базе технологии MLC и изготовленные по 90-нм производственному процессу. По технологии MLC будут выпускаться, в частности, устройства емкостью 256 Мбит и 512 Мбит на кристалл. Кроме того, планируется выпуск различных многослойных конфигураций.
По материалам пресс-службы Intel.
