14 января подразделение IBM Microelectronics объявило о выпуске интегрированных радиочастотных усилителей мощности, изготовленных на основе кремниево-германиевой (SiGe) технологии.
Кремниево-германиевые микросхемы выделяют значительно меньше тепла, чем их конкуренты на основе GaAs (галий-арсенид), благодаря лучшей теплопроводности SiGe, что позволяет существенно повысить термостойкость устройств. Кроме того, технология BiCMOS на кремниево-германиевой основе позволяет реализовать множество функций на одном чипе, усилители мощности можно сделать сверхминиатюрными, снизив общий объем, занимаемый ими на материнской плате устройства.
Было анонсировано три SiGe-усилителя мощности, образующих единое семейство. Усилитель мощности IBM 2022 TDMA IS-54 предназначен для устройств, работающих в стандарте сотовой связи TDMA (Time Division Multiple Access - стандарт множественного доступа со временным разделением каналов) 800 МГц; усилитель мощности IBM 2018 CDMA IS-95 предназначен для устройств, работающих в стандарте сотовой связи CDMA (Code Division Multiple Access - стандарт множественного доступа с кодовым разделением каналов) 800 МГц; IBM 2017 PCS CDMA IS-95 для стандарта CDMA 1900 МГц.
Все три усилителя производятся IBM по технологии BiCMOS 5AM 0,35 мкм. Новые микросхемы будут производиться на заводе IBM в Барлингтоне, штат Вермонт, США.
Усилитель мощности IBM 2022 TDMA уже выпущен на рынок, IBM 2017 PCS CDMA на сегодняшний момент существует в виде прототипа, а прототип усилителя мощности IBM 2018 CDMA появится в следующем месяце, сообщает "iXBT".
