Корпорации Sony и Toshiba представили новую технологию изготовления кремниевых кристаллов высокой степени интеграции. Таким образом, по словам представителей компании, стал доступным для производства 65-нанометровый процесс CMOS, который, как ожидается, будет применяться при изготовлении DRAM-памяти.
Как заявили разработчики, им удалось создать первый опытный образец кристалла высокой интеграции (LSI - Large Scale Integration), представляющий собой модуль памяти емкостью 1 Мб. Масштабное использование новой технологии ожидается в конце марта 2004 года. Что касается коммерциализации процесса - скорее всего, применение подобных кристаллов начнется при производстве различных систем, связанных с беспроводной передачей информации, где требуется высокая производительность вкупе с низким энергопотреблением, пишет РИА "РосБизнесКонсалтинг".
