Корпорация Intel представила несколько технологических достижений, реализованных c помощью нового 90-нанометрового (нм) технологического процесса.
С помощью 90-нм процесса корпорация Intel уже создала полупроводниковые структуры и микросхемы памяти. В следующем году процесс планируется внедрить в массовое производство с использованием 300-миллиметровых пластин.
Новый технологический процесс с проектной нормой 90 нанометров (нанометр - одна миллиардная доля метра) позволяет интегрировать на кристалле микропроцессора более высокопроизводительные транзисторы, использовать так называемый напряженный кремний, медные соединения с высокой пропускной способностью, а также новый диэлектрический материал с низкой диэлектрической проницаемостью.
Усовершенствованные транзисторы. Быстродействующие транзисторы малых размеров - основа быстродействующих процессоров. В новом 90-нм технологическом процессе используются новые транзисторы, имеющие длину затвора всего 50 нм. Это самые маленькие и самые быстродействующие КМОП- транзисторы, используемые сегодня в массовом производстве. Для сравнения: транзисторы, используемые в массовом производстве процессора Intel Pentium 4, имеют длину затвора 60 нм.
Толщина же оксидного слоя затвора новых транзисторов составляет всего пять атомарных слоев (1,2 нм). Столь тонкий оксидный слой значительно повышает быстродействие транзистора.
Intel применил в новом технологическом процессе свой собственный вариант технологии напряженного кремния. Использование напряженного кремния обеспечивает более свободное протекание тока и позволяет повысить быстродействие транзистора.
По материалам РИА "РосБизнесКонсалтинг".
