Корпорация IBM представила миру новый тип транзисторов, которые, по утверждениям разработчиков, позволят втрое увеличить производительность беспроводных чипов и при этом использовать на 80% меньше энергии, чем современные микропроцессоры.
Специалистам IBM удалось разместить на одной подложке биполярные кремний- германиевые и обычные CMOS-транзисторы (CMOS расшифровывается как комплиментарные металл-оксидные полупроводники) - чего раньше никому сделать еще не удавалось.
Биполярные транзисторы используются для усиления слабых радиосигналов, в то время как CMOS-транзисторы применяются, в основном, в вычислительных микросхемах.
Используя слой "кремний-на-изоляторе" для уменьшения емкостного сопротивления биполярных транзисторов, специалистам IBM удалось увеличить скорость их переключения. Обычно эта методика применяется к CMOS- транзисторам.
Таким образом, разработчики IBM добились того, что CMOS- и биполярные чипы стало возможным размещать на одной пластине, выполненной по технологии "кремний-на-изоляторе".
В IBM полагают, что чипы, выполненные по новой гибридной технологии получат повсеместное распространение уже через пять лет, сообщает "MEMBRANA".
