IBM сообщила сегодня о двух новых достижениях в сфере передовых полупроводниковых технологий.
В частности, специалистами компании был создан первый транзистор, в котором используется напряженный кремний, размещенный непосредственно на изоляторе (SSDOI - strained silicon directly on insulator) - это, по их утверждению, позволяет добиться повышения быстродействия с одновременным устранением проблем, связанных с массовым производством.
Кроме того, в IBM Research впервые получены транзисторы для КМОП-устройств, в которых применяется гибридная подложка с разной ориентацией кристалла (HOT - hybrid-orientation technology) - это, опять же, обеспечивает увеличение производительности на 40-65% (при уровне детализации 90 нм). Об этом сообщает "Издательский Дом ITC".
