19.09.2003, 15:16
Специалисты AMD создали, по их словам, самый быстрый трехмерный транзистор.
Транзистор с трехмерным затвором, изготовленный в лабораториях AMD, на 50 % превосходит по быстродействию все подобные разработки, заявили представители компании.
Транзистор был изготовлен с использованием технологии "полностью обедненный кремний на изоляторе" (FDSOI) и трехмерным затвором из силицида никеля. Эта комбинация вызвала эффект "напряженного кремния", что значительно повысило подвижность носителей заряда.
По словам AMD, эта технология может быть использована в серийном производстве чипов уже в 2007 году. Об этом пишет "iTware".
