Fujitsu Microelectronics America (FMA) представит новую, 0,11-мкм технологию производства CMOS на Fabless Semiconductor Association (FSA) Suppliers' Expo, которая пройдет 10 и 11 октября. Производство плат по новой технологии начнется в 2002 году.
Суть технологии заключается в использовании диоксида кобальта (CoO2) наряду с медными соединениями. Известно также, что напряжение ядра будет составлять 1,2 В, аналоговой и I/O цепи - 2,5 и 3,3 В.
Кроме того, компания сообщила о еще одной новой разработке - 0,35-мкм Liquid Crystal on Silicon (LCOS) процессе для микродисплеев, 0,35-мкм контактных сенсоров изображения (CIS). Этот процесс может использоваться при разработке проекторов, видоискателей и подобных продуктов. Что касается контактных сенсоров, то они найдут свое применение в производстве цифровых камер.
По словам представителей компании, новые процессы и технологии, которые Fujitsu может предложить клиентам, помогут удерживать лидирующее положение в данной области. Кроме того, в планах компании - разработка технологических процессов следующего поколения для всех ключевых продуктов.
Инф. "ЭЛВИСТИ".
